Gamintojo produkto numeris:
TSM4N60ECH C5G
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM4N60ECH C5G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
12899272
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM4N60ECH C5G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
545 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
86.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
TSM4N60
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM4N60ECH C5G-DG
TSM4N60ECHC5G
Standartinis paketas
3,750
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPS80R2K4P7AKMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
TSM4NB60CH C5G
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
22491
DiGi DALIES NUMERIS
TSM4NB60CH C5G-DG
VISO KAINA
0.35
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMS2120LFWB-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
BUK9840-55,115
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
TSM061NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
